Perbezaan Antara SRAM dan DRAM

• 2019

SRAM dan DRAM adalah mod litar bersepadu RAM dimana SRAM menggunakan transistor dan selak dalam pembinaan manakala DRAM menggunakan kapasitor dan transistor. Ini boleh dibezakan dalam banyak cara, seperti SRAM adalah lebih cepat berbanding DRAM; maka SRAM digunakan untuk ingatan cache sementara DRAM digunakan untuk ingatan utama.

RAM (Random Access Memory) adalah sejenis memori yang memerlukan kuasa yang berterusan untuk menyimpan data di dalamnya, apabila bekalan kuasa terganggu data akan hilang, itulah sebabnya ia dikenali sebagai memori yang tidak menentu . Membaca dan menulis dalam RAM mudah dan cepat dan dicapai melalui isyarat elektrik.

Carta Perbandingan

Asas untuk perbandingan	SRAM	DRAM
Kelajuan	Lebih cepat	Lebih perlahan
Saiz	Kecil	Besar
Kos	Mahal	Murah
Digunakan dalam	Memori cache	Ingatan utama
Ketumpatan	Kurang padat	Sangat padat
Pembinaan	Kompleks dan menggunakan transistor dan selak.	Mudah dan menggunakan kapasitor dan transistor yang sangat sedikit.
Blok tunggal ingatan memerlukan	6 transistor	Hanya satu transistor.
Caj harta kebocoran	Tidak hadir	Oleh itu, kini memerlukan litar menyegarkan kuasa
Penggunaan kuasa	Rendah	Tinggi

Definisi SRAM

SRAM (Memori Rawak Akses Statik) terdiri daripada teknologi CMOS dan menggunakan enam transistor. Pembinaannya terdiri daripada dua penyongsang salib yang digabungkan untuk menyimpan data (binari) sama dengan flip-flop dan dua transistor tambahan untuk kawalan akses. Ia agak lebih cepat daripada jenis RAM lain seperti DRAM. Ia menggunakan kuasa kurang. SRAM boleh memegang data selagi kuasa dibekalkan kepadanya.

Kerja SRAM untuk sel individu:

Untuk menghasilkan keadaan logik yang stabil, empat transistor (T1, T2, T3, T4) dianjurkan dengan cara yang bersambung. Untuk menghasilkan keadaan logik 1, simpul C1 adalah tinggi, dan C2 adalah rendah; dalam keadaan ini, T1 dan T4 mati, dan T2 dan T3 sedang aktif . Untuk keadaan logik 0, persimpangan C1 adalah rendah, dan C2 adalah tinggi; dalam keadaan tertentu T1 dan T4 sedang, dan T2 dan T3 tidak aktif . Kedua-dua negeri adalah stabil sehingga voltan arus langsung (dc) digunakan.

Talian alamat SRAM dikendalikan untuk membuka dan menutup suis dan mengawal transistor T5 dan T6 yang dibenarkan membaca dan menulis. Untuk operasi baca, isyarat diterapkan pada baris alamat ini kemudian T5 dan T6 akan dihidupkan, dan nilai bit dibaca dari baris B. Bagi operasi menulis, isyarat digunakan untuk garis bit B, dan pelengkapnya digunakan untuk B ' .

Definisi DRAM

DRAM (Memory Access Rawak Dinamik) juga merupakan jenis RAM yang dibina menggunakan kapasitor dan beberapa transistor. Kapasitor digunakan untuk menyimpan data di mana nilai bit 1 menandakan kapasitor dikenakan dan sedikit nilai 0 bermaksud kapasitor dilepaskan. Kapasitor cenderung untuk melepaskan, yang menyebabkan kebocoran tuduhan.

Istilah dinamik menunjukkan bahawa caj-caj tersebut secara berterusan bocor bahkan dengan kehadiran kuasa yang dibekalkan berterusan yang merupakan sebab ia menggunakan lebih banyak kuasa. Untuk mengekalkan data untuk masa yang lama, ia perlu dipulihkan berulang-ulang yang memerlukan litar penyegaran tambahan. Kerana bocoran caj DRAM kehilangan data walaupun kuasa dihidupkan. DRAM tersedia dalam kapasiti yang lebih tinggi dan lebih murah. Ia memerlukan hanya satu transistor untuk blok memori tunggal.

Kerja sel DRAM yang tipikal:

Pada masa membaca dan menulis nilai bit dari sel, baris alamat diaktifkan. Transistor yang hadir dalam litar bertindak sebagai suis yang tertutup (membenarkan arus mengalir) jika voltan dikenakan ke garisan alamat dan terbuka (tidak ada aliran semasa) jika tiada voltan dikenakan ke garisan alamat. Untuk operasi menulis, isyarat voltan digunakan untuk garis bit di mana voltan tinggi menunjukkan 1, dan voltan rendah menunjukkan 0. Isyarat kemudian digunakan untuk garis alamat yang membolehkan pemindahan caj kepada kapasitor.

Apabila garis alamat dipilih untuk melaksanakan operasi baca, transistor menghidupkan dan cas yang disimpan pada kapasitor dibekalkan ke garisan bit dan ke penguat rasa.

Penguat rasa menentukan sama ada sel mengandungi logik 1 atau logik 2 dengan membandingkan voltan kapasitor kepada nilai rujukan. Pembacaan sel menyebabkan pemuatan kapasitor, yang mesti dipulihkan untuk menyelesaikan operasi. Walaupun DRAM pada asasnya adalah peranti analog dan digunakan untuk menyimpan bit tunggal (iaitu, 0, 1).

Perbezaan Utama antara SRAM dan DRAM

1. SRAM adalah memori pada cip yang masa aksesnya kecil manakala DRAM adalah memori cip luar yang mempunyai masa akses yang besar. Oleh itu SRAM adalah lebih cepat daripada DRAM.
2. DRAM tersedia dalam kapasiti storan yang lebih besar manakala SRAM adalah saiz yang lebih kecil .
3. SRAM mahal sedangkan DRAM murah .
4. Memori cache adalah aplikasi SRAM. Sebaliknya, DRAM digunakan dalam ingatan utama .
5. DRAM sangat padat . Sebaliknya, SRAM adalah lebih jarang .
6. Pembinaan SRAM adalah kompleks kerana penggunaan sejumlah besar transistor. Sebaliknya, DRAM adalah mudah untuk mereka bentuk dan melaksanakan.
7. Dalam SRAM satu blok memori memerlukan enam transistor manakala DRAM memerlukan hanya satu transistor untuk satu blok ingatan.
8. DRAM dinamakan sebagai dinamik, kerana ia menggunakan kapasitor yang menghasilkan kebocoran arus kerana dielektrik yang digunakan di dalam kapasitor untuk memisahkan plat konduktif bukan penebat yang sempurna dengan itu memerlukan litar menyegarkan kuasa. Sebaliknya, tidak ada masalah kebocoran caj dalam SRAM.
9. Penggunaan kuasa lebih tinggi dalam DRAM daripada SRAM. SRAM beroperasi pada prinsip menukar arah arus melalui suis manakala DRAM berfungsi untuk memegang caj.

Kesimpulannya

DRAM adalah keturunan SRAM. DRAM direka untuk mengatasi kelemahan SRAM; pereka telah mengurangkan elemen ingatan yang digunakan dalam satu memori yang mengurangkan kos DRAM dan meningkatkan kawasan penyimpanan. Tetapi, DRAM lambat dan menggunakan kuasa lebih daripada SRAM, ia perlu disegarkan secara kerap dalam beberapa milisaat untuk mengekalkan caj.